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低应力Si3N4介质膜对于制作微结构传感器是非常重要的。本文通过采用正交试验设计,优化出Si3N4介质膜制备的低应力工艺参数,并给出了Si3N4薄膜应力的测试方法和测试结果。
低应力Si3N4介质膜的制备工艺优化
【摘 要】
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低应力Si3N4介质膜对于制作微结构传感器是非常重要的。本文通过采用正交试验设计,优化出Si3N4介质膜制备的低应力工艺参数,并给出了Si3N4薄膜应力的测试方法和测试结果。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十九研究所芯片与微系统工程中心
【出 处】
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中国新技术新产品
【发表日期】
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2010年14期
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