论文部分内容阅读
在工程师们试图使高k介质和金属栅迅速地进入生产的同时,科学家们正在忙于对这些新型叠层结构的电学性质进行快速的表征。在最近的国际可靠性物理研讨会(InternationalReliabil~ityPhysicsSymposium.IRPS)上.KisikChoi及其来自Sematech和德州大学的同事们证实,在PMOS的poly/TaCN/AIN/HfSiO。