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PNP管的结构是由P型发射区、N型基区、P型集电区组成的三层两结.PNP管的基区宽度和基区掺杂对PNP管电特性的影响很大.在常规IC工艺中,通常采用先做试片的方式来确定基区的磷掺杂扩散时间,工艺加工效率低.为了解决这个问题,从磷源POCl3的温度、扩散时间两方面入手,对PNP管的电流增益β进行了实验研究.结果表明,在POCl3温度为(20±1)℃、预扩散时间为(46±2)min、β不小于80的条件下,PNP管的β变化量小于50％.该研究用于实际PNP管的制造工艺中,工艺加工效率提高了100％.