在Ge和GaAs衬底上气相生长Znse异质结外延膜

来源 :南京工学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dxc1989120
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一、引言 ZnSe是重要的发光材料。由于Ge和GaAs与ZnSe的品格常数十分接近,它们品格匹配较好,所以生长出来的ZnSc外延层质量较好;另外,以Ge为衬底成本较低,以GaAs为衬底生长ZnSe光学薄膜,可为光学集成创造有利的条件。 I. Introduction ZnSe is an important luminescent material. As the lattice constants of Ge, GaAs and ZnSe are very close and their character matching is good, the quality of ZnSc epitaxial layer grown is better. In addition, the cost of Ge is lower, and the ZnSe optical thin film is grown on GaAs substrate. May create favorable conditions for optical integration.
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