【摘 要】
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本文从积累型工作模式和反型工作模式出发,设计并制造出三种不同结构的 a-Si:H MNSFET。测试了它们的转移特性,并对其特性的异同点进行了解释。结果表明,工作在积累模式的漏
【机 构】
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成都电讯工程学院739半导体材料研究所,成都电讯工程学院739半导体材料研究所,
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本文从积累型工作模式和反型工作模式出发,设计并制造出三种不同结构的 a-Si:H MNSFET。测试了它们的转移特性,并对其特性的异同点进行了解释。结果表明,工作在积累模式的漏源电流比反型模式大近一个数量级,其开关比分别为10~4和10~5,阈电压分别为6V 和9V,器件的沟道宽长分别为200μm 和80μm。
In this paper, a-Si: H MNSFETs with different structures are designed and fabricated from the accumulation mode and the inversion mode. Tested their transfer characteristics, and explained the similarities and differences in their characteristics. The results show that the drain-source current working in the accumulation mode is nearly an order of magnitude larger than the inversion mode with a switching ratio of 10-4 and 10-5 respectively, and the threshold voltages are 6V and 9V, respectively. The channel widths of the devices are respectively 200μm And 80 μm.
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