论文部分内容阅读
Zn掺杂GaInAs／InP结构中极强的外延层内部扩散
【出 处】
：
发光快报
【发表日期】
：
1995年5期
其他文献
本文报道了一种发白光的 SrS:Ce,K,Eu 薄膜电致发光(TFEL)器件,在超出阈值电压40V,频率为1kHz 的驱动下,亮度可达325cd/m~2,效率为0.151m/W.对以SrS 为基质的 TFEL 器件的亮
1.前言从现在到21世纪,对信息的要求越来越多,85％以上的信息是通过人眼扑捉的,作为识别装置,那就是显示器。显示器性能的提高及在情报社会的地位提高,使得人们通过显示器增添
制备了用 MOMBE 法生长的碳重掺杂 p型 GaAs p—n 结二极管。虽然结上的晶格失配产生了不理想位错,但 I—V 和 C—V特性没有明显地受到 p—GaAs 空穴浓度的影响,即使用空穴浓
<正> 一、引言高图像质量的有源矩阵液晶显示器作为光阀用在投影电视上。但是高质量的有源矩阵LCD需要许多外部导线,因而造成体积增大和结构方面的问题。降低外部导线数量是
近期，在各大门户及视频网站由著名导演冯晓刚执导的“世贸天阶”公益视频宣传片在网络上流传甚广。现在网上已经能看到的有杨坤版本、葛优版本、周迅版本。随着互联网的发展，越
本文论述了可调谐彩色电致发光(TCEL)器件及控制系统在技术方面的最新进展。首先讨论了薄膜电致发光(TFEL)屏中的多色技术现状。其次,介绍了在降低阈值电压方面的最新成就以
用在压电BaTiO<sub>3</sub>陶瓷板上沉积的ZnS∶Mn薄膜制成了光、声发射EL显示器,在高于700℃的温度下对发光层进行后退火而明显地改善了显示器的EL特性。用1kHz正弦波电压驱
对加电场的ZnSe/ZnS应变层超晶格(SLSs)进行了光致发光测量,并观察到发光猝灭和峰向较低能侧的移动。这些现象与ZnSe阱中由电场引起的电子——空穴分离有关。作者用ZnSe/ZnS