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本文研究了在160KeV能量下,O~+注入到n-GaAs或P-GaAs中所形成的半绝缘层的物理特性。测量了样品的电阻率、氧补偿后的载流子浓度分布及晶格损伤。在GaAs肖特基势垒场效应管(MESFET)及条形双异质结激光器的研制中,采用这种注氧隔离技术,取得了初步效果。本文认为O+注入GaAs形成半绝缘层的机制不是辐射损伤,而是O~+引入了双深能级。