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综述了微观尺度下利用MEMS结构测量硅材料塞贝克系数的已有工作。这些测试结构主要由电加热、电压测量和温度测量三部分构成，通过测量塞贝克电压和与之相对应的温度，从而获知塞贝克系数。加式测试结构的工艺大多与CMOS工艺兼容。指出这些方法原理简单、测量直接，但必须要求真空环境，尚无法满足普通大气环境下在线测试的要求。