磁阻效应增强型锑化铟红外光电传感器

来源 :激光与红外 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fdhwangwei

【摘要】

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发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后,对脉冲变化的红外光的照射,它的输出信号增强了.采用灵敏度K1=3.6,K2=1.02(B=0.3T)的两个磁阻元件,在B=0.15～0.2T偏磁系统中,

【作者】

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黄钊洪

【机构】

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华南师范大学华南量子电子学研究所

【出处】

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激光与红外

【发表日期】

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2001年4期

【关键词】

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磁阻效应红外光电传感器锑化铟 magnetoresistance IR photoelectric sensor.

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发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后,对脉冲变化的红外光的照射,它的输出信号增强了.采用灵敏度K1=3.6,K2=1.02(B=0.3T)的两个磁阻元件,在B=0.15～0.2T偏磁系统中,用峰值波长λp=940nm的红外光脉冲照射,可使输出电压比没有偏磁时增大3倍以上,输出信号电压(S)与本底噪声电压(N)之比为25∶1(S/N=28db).

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