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对真空紫上光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后物高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０＾１１ｃｍ＾－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同，其等效极化电荷数为２￣５×１０＾１１ｃｍ＾－２。
真空紫外光直接光CVD SiO2膜的偏压温度处理
【摘 要】
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对真空紫上光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后物高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０＾１１ｃｍ＾－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同
【机 构】
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四川联合大学物理系
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1998年3期
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