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在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核，对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进，充分考虑到了半导体材料受到的影响，可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域．工艺制备中实现台面刻蚀斜坡效果，并采取多次SiO2淀积多次光刻技术，有效降低了引线电极断裂的概率．通过大电流密度老化结果显示：接触电阻率早期快速失效，且随电流密度及老化时间的增加而退化加剧．对样品老化前后进行能谱分析得知：接触层中的舢是一种较低的抗电迁移能力的金属，由于电迁移被冲击出来从而破坏了良好接触层．改进后的结构对测量大电流密度下的欧姆