【摘 要】
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研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H＋注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H＋膨胀压
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室＆半导体功能薄膜工程技术研究中心,新加坡国立大学硅纳米器件研究室,中国科学院研究生院
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研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H＋注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H＋膨胀压力导致其全部脱落.利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H＋的Ge片与热生长SiO2片的键合,通过热处理完成SiO2上的Ge薄膜转移,形成了GOI（Germanium-on-insulator）结构.采用扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、以及X射线四晶衍射对GOI的微结构进行了表征和分析.研究表明,获得的GOI中顶层Ge具有较好的
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