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采有N^+、C^+离子注入拟南芥（Arabidopsis thaliana）种子，统计了种子的发芽指数（发芽率和发芽势）；用改良的RAPD技术对N^+离子注入植株的NDA进行11个引物的随机自然多态性扩增。结果表明，适合剂量的N^+、C^+离子注入可使种子发芽提高，两种离子注入种子的发芽率峰值（分别为92．3％和74．4％）都在5×10^14ions/cm^2，分析N^+离子注入材料发现，在1×10^13-1×10^16ions/cm^2剂量范围内，基因组DNA的变异率与发芽