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本文报导了在用掺铬半绝缘砷化镓为材料的高速光导开关的制作中采用硅离子注入工艺。直流及瞬态响应特性的测试结果表明:金属电极与介质基片间的接触电阻大大减小,开关的传输效率明显提高,输出电脉冲幅度增加了一个数量级左右。
高速光导开关传输效率的研究
【摘 要】
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本文报导了在用掺铬半绝缘砷化镓为材料的高速光导开关的制作中采用硅离子注入工艺。直流及瞬态响应特性的测试结果表明:金属电极与介质基片间的接触电阻大大减小,开关的传输
【机 构】
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浙江大学,浙江大学
【出 处】
：
光电子．激光
【发表日期】
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1992年1期
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