【摘 要】
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采用放电等离子体烧结技术,制备了Sb/Al/Zn多掺杂Mg2Si热电材料,利用粉末X射线衍射、霍尔效应和标准四探针电导率研究了Mg2Si热电材料的电输运特性和热电性能。结果表明,Sb/A
【机 构】
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咸阳师范学院物理与电子工程学院,商洛学院电子信息与电气工程学院
【基金项目】
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陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2017JQ6011),陕西省教育厅2017年专项科学研究计划资助项目(17JK0236),咸阳师范学院专项科研基金资助项目(XSYK18049).
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采用放电等离子体烧结技术,制备了Sb/Al/Zn多掺杂Mg2Si热电材料,利用粉末X射线衍射、霍尔效应和标准四探针电导率研究了Mg2Si热电材料的电输运特性和热电性能。结果表明,Sb/Al/Zn多掺杂Mg2Si热电材料具有良好的电输运和热电性能。采用放电等离子体烧结技术在880 K时,Sb0.5%Zn0.5%掺杂Mg2Si热电材料具有最大热电优值为0.964,与PbTe基热电材料相当。根据电导率(σ)、塞贝克系数(S)和热导率(κ)的温度依赖性计算掺杂Mg2Si热电材料在300~900 K的热电性能和热电
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