【摘 要】
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据日本《JEF》1990年12月报道,富士通公司用In-Al-As/In-Ga-As材料制造了一种新型超高速谐振热电子晶体管(RHET),它是一种超晶格器件,从称为谐振隧道势垒的超晶格晶体中发射
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据日本《JEF》1990年12月报道,富士通公司用In-Al-As/In-Ga-As材料制造了一种新型超高速谐振热电子晶体管(RHET),它是一种超晶格器件,从称为谐振隧道势垒的超晶格晶体中发射热电子.该器件有一奇异特性,即只有输入一特殊电压时,谐振隧道效应才允许
According to Japan’s “JEF” reported in December 1990, Fujitsu used In-Al-As / In-Ga-As material to create a new ultra-high speed resonant thermionic transistor (RHET), which is a superlattice device, Hot electrons are emitted from a superlattice crystal called a resonant tunneling barrier. The device has a singularity that the resonant tunneling effect is only allowed when a particular voltage is input
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