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采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了Mg0.33Zn0.67O薄膜，研究了Mg0.33Zn0．67O薄膜的结构和光学性能．结果表明，Si（100）衬底上Mg0.33Zn0．67O薄膜呈六方纤锌矿结构，薄膜沿C方向取向生长，且C轴方向晶格增大0．03nm．薄膜呈现优异的半导体特性，激子吸收峰位于297nm，禁带宽度约为4．3eV．薄膜平均粒径约为20nm．薄膜在深紫外激发下的荧光发射位于368nm．