【摘 要】
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采用V掺杂半绝缘6H-SiC单晶衬底材料制备了平面电极型大功率SiC光导开关,用强度为150 μJ/mm2、波长为355 nm的脉冲激光对开关进行触发,在1～14 kV的外加电压范围内对光导开关
【基金项目】
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中国科学院知识创新工程重要方向性项目（KGCX2-YW-206）,国家高技术发展计划项目,上海市科技启明星项目（13QAl403800）,上海硅酸盐研究所创新基金项目（Y39ZC1110G）
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采用V掺杂半绝缘6H-SiC单晶衬底材料制备了平面电极型大功率SiC光导开关,用强度为150 μJ/mm2、波长为355 nm的脉冲激光对开关进行触发,在1～14 kV的外加电压范围内对光导开关的耐压特性、导通电阻等性能进行了研究.结果表明：随着开关外加电压的升高,开关的电流峰值呈现不断增大的趋势,当开关外加电压为14 kV时,电流峰值达185 A,对应的光导开关峰值功率为2.59 MW,开关的导通电阻约为22 Ω.
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