基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究

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【摘要】

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基于表面势模型,在同时考虑深能态和带尾态分布下,采用简化的费米-狄拉克函数计算得到统一的定域态模型,并利用有效特征温度的概念,推导出a-Si:H TFT统一的电流-电压(I-V)模

【作者】

：

陈晓雪姚若河

【机构】

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华南理工大学电子与信息学院,

【出处】

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物理学报

【发表日期】

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2012年23期

【关键词】

：

非晶硅表面势薄膜晶体管有效特征温度

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基于表面势模型,在同时考虑深能态和带尾态分布下,采用简化的费米-狄拉克函数计算得到统一的定域态模型,并利用有效特征温度的概念,推导出a-Si:H TFT统一的电流-电压(I-V)模型.该模型可不分区地描述包括亚阈值区、线性区以及饱和区等a-Si:H TFT的所有工作区域.与实验得到的I-V特性进行比较表明,本模型能够准确地描述a-Si:H TFT的各个工作区的电流电压特性.

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