【摘 要】
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已知SiC(碳化硅)MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)与Si IGBT相比具有更好的性能,SiC MOSFET在高压功率变换器中的应用越来越广泛。伴随开关频率和速度的提高,SiC MOSFE
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已知SiC(碳化硅)MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)与Si IGBT相比具有更好的性能,SiC MOSFET在高压功率变换器中的应用越来越广泛。伴随开关频率和速度的提高,SiC MOSFET的寄生参数还可能引入不希望的行为。到目前为止,很少有可用于高压,大电流SiC功率MOSFET的行为模型。本文提出一种简单的SiC MOSFET电路行为模型。该模型考虑了SiC MOSFET的非线性结电容等寄生参数的基础上,加入了温控电压源和温控电流源以补偿 SiC MOSFET 静态特性随温度的变化。所提
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