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本文采用LPCVD技术在高温条件下,利用甲烷和氢气混合气体作为碳源,在n—Si(111)衬底上制备3C—SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT—IR和PL研究发现:温度对3C—SiC薄膜的形貌和晶体质量有较大的影响,并且生长温度对3C—SiC薄膜的780cm-1左右的FT—IR反射峰强度影响非常大;在室温测试条件下,3C—SiC薄膜有较强的蓝光波段的荧光峰。