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本文采用LPCVD技术在高温条件下，利用甲烷和氢气混合气体作为碳源，在n—Si（111）衬底上制备3C—SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT—IR和PL研究发现：温度对3C—SiC薄膜的形貌和晶体质量有较大的影响，并且生长温度对3C—SiC薄膜的780cm-1左右的FT—IR反射峰强度影响非常大；在室温测试条件下，3C—SiC薄膜有较强的蓝光波段的荧光峰。