Hg_(1-x)Cd_xTe平面型In扩散及Hg扩散PN结的交流特性

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Hg_(1-x)Cd_xTe材料是一种缺陷半导体,它既可通过控制缺陷成结,也可用掺杂方法成结。掺杂的方法又有扩散及离子注入两种。对不同形式的Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的性能进行研究,将有助于对Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的物理过程的理解。另一方面,平面工艺又是研制红外焦平 The Hg_ (1-x) Cd_xTe material is a kind of defect semiconductor, which can be formed by controlling defects and doping. Doping methods have two kinds of diffusion and ion implantation. Studying the properties of different forms of Hg_ (1-x) Cd_xTe PN junctions will help to understand the physics of Hg_ (1-x) Cd_xTe PN junctions. On the other hand, planar technology is the development of infrared focal level
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