【摘 要】
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基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺，设计了一款2～6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路（MMIC）芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷（SP8T）开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选择，采用三串两并结构，提高了通道间隔离度。带通滤波器组采用多级LC谐振器实现，最小、最大相对带宽分别为18%和100%,可用于宽带及窄
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基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺，设计了一款2～6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路（MMIC）芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷（SP8T）开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选择，采用三串两并结构，提高了通道间隔离度。带通滤波器组采用多级LC谐振器实现，最小、最大相对带宽分别为18%和100%,可用于宽带及窄带滤波器设计，具有通带插入损耗小，阻带抑制度高等优点。末级级联低通滤波器，实现远端寄生通带抑制大于35 dBc。在片探针测试结果显示，该开关滤波器组芯片在2～6 GHz频率范围内，每个带通滤波器的插入损耗均小于8.5 dB,阻带衰减为40 dB。该芯片具有通道多、功能复杂、集成度高的特点，可应用于宽带雷达系统进行频率预选。
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