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一种基于多输入单电子晶体管的比较器电路

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pxp99

【摘 要】

：

基于多输入单电子晶体管(SET)的Ⅰ-Ⅴ特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由18个互补型SET和1个双栅极SET构成的1位比较器电路结构.该比较器优点为:利用一个双栅极SET的

【作 者】

：

刘河潮 蔡理 王森 

【机 构】

：

空军工程大学

【出 处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

单电子晶体管 双栅极SET 比较器 SPICE 宏模型 Single-electron transistor (SET) Doublegate SET Com 

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基于多输入单电子晶体管(SET)的Ⅰ-Ⅴ特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由18个互补型SET和1个双栅极SET构成的1位比较器电路结构.该比较器优点为:利用一个双栅极SET的固有特性,使异或逻辑块得到了简化,减少了晶体管的数目;电压兼容性好,输入和输出高低电平都接近0.02 V和0 V;静态总功耗低(6.42 pW).仿真结果验证了电路的正确性.

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