Effect of annealing on wet etch of amorphous IGZO thin film

来源 :上海大学学报(英文版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:chendegeng1234
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Amorphous InGaZnO (a-IGZO) film is deposited on the glass substrate by radio-frequency sputtering and the influence of annealing on wet etch of a-IGZO films were investigated.The results show that etch rate of IGZO films decrease with the increase of annealing temperature.Etching taper angle is less than 60° and critical dimension (CD) loss is less than 1 μm in over-etching time of 30 s.The fact implies that IGZO films etching with oxalic acid may be a good wet etching way for the thin-film transistor (TFT) array process.
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