Si(100)N底上取向生长La0.8Sr0.2MnO3(110)薄膜

来源 :聊城大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lzyrock
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摘要利用对向靶磁控溅射方法在Ф60mmSi(100)衬底上得到了择优取向生长的La0.8Sr0.2MnO3(110)薄膜.当沉积温度为500℃,在40nm缓冲层SrMnO3上,La0.8Sr0.2MnO3薄膜沿(110)取向生长,提高沉积温度到750℃,厚度为12nm的SrMnO3缓冲层就可以实现La0.8Sr0.2MnO3薄膜的(110)取向择优生长。
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