低噪声砷化镓金属-半导体场效应晶体管

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用投影光刻法制出了在6千兆赫下最佳噪声系数为1.6分贝的砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)。推出了计算最佳噪声系数的公式,得到的计算值和测量值非常一致。引言:本简讯的目的是报导在6千兆赫下测得噪声系数为1.6分贝、可用增益为11分贝的 GaAsMESFET。这种器件,当调至4千兆赫时,最佳噪声系数为1.0分贝。这些噪声系数,现在仍是4千兆赫和6千兆赫下获得的最低值。 GaAs MESFETs with an optimal noise figure of 1.6 dB at 6 GHz were fabricated by projection lithography. The formula for calculating the best noise figure was introduced and the calculated and measured values ​​are very consistent. Introduction: The purpose of this newsletter is to report GaAsMESFETs with a noise figure of 1.6 dB and an available gain of 11 dB at 6 GHz. This device, when adjusted to 4 gigahertz, the best noise figure of 1.0 dB. These noise figures are still the lowest achievable at 4 GHz and 6 GHz.
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