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三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:klsslove520
【摘 要】
:
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方
【作 者】
:
吕长志
冯士维
王东凤
张小玲
谢雪松
何焱
张浩
徐立国
【机 构】
:
北京工业大学电子信息与控制工程学院
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2005年z1期
【关键词】
:
ALGAN/GAN
HFET
倒置结构
双异质结
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对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
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