【摘 要】
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使用射频磁控溅射系统在Pt/SiO_2/Si基片上沉积了Ba_（0.6）Sr_（0.4）TiO_3（BST）薄膜,研究了溅射过程中氧氩比与溅射总气压对BST薄膜生长过程及介电性能的影响。通过XRD衍射仪、原子力
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使用射频磁控溅射系统在Pt/SiO_2/Si基片上沉积了Ba_（0.6）Sr_（0.4）TiO_3（BST）薄膜,研究了溅射过程中氧氩比与溅射总气压对BST薄膜生长过程及介电性能的影响。通过XRD衍射仪、原子力显微镜等对在不同条件下制备出的薄膜样品进行了性能测试和分析。结果表明：增加氧氩比能够增加薄膜表面晶粒尺寸,提升薄膜的结晶度,增加薄膜的介电常数并降低介电损耗,但同时也会降低薄膜的沉积速率;增加溅射气压会导致薄膜表面晶粒尺寸减小、结晶度降低,薄膜的沉积速率随着溅射气压的增加呈现先增加后降低（溅射气压大
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