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本文报道了金属有机物化学气相外延(MOVPE)生长的未人为掺杂和掺Sin-GaN的持续光电导(Persistent Photoconductivity-PPC)。在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为。实验结果表明,未人为掺杂和掺Sim-GaN的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是VGa空位、NGa反位或者VGa-SiGa络合物。和未人为掺杂样品A相比,样品B中因Si的并入导