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本文分两部分概括介绍第21届ISPSD09发表的有关功率半导体器件及集成电路的一些主要成果和进展，（上）部分包括特邀综述、低压器件、高压硅器件；（下）部分包括集成功率、宽禁带器件与电路等几个方面。
2009年IEEE功率半导体器件及功率集成电路国际会议述评（上）
【摘 要】
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本文分两部分概括介绍第21届ISPSD09发表的有关功率半导体器件及集成电路的一些主要成果和进展，（上）部分包括特邀综述、低压器件、高压硅器件；（下）部分包括集成功率、宽禁带器件与
【机 构】
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北京工业大学电控学院
【出 处】
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电力电子
【发表日期】
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2009年4期
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