一维二氧化硅纳米材料是当前发光材料的研究热点之一。作为高效发光材料候选材料,需要了解其电子结构参数和光谱数据。本文选取一维链式结构的(Si O2)10分子为研究对象,利用密度泛函B3LYP方法在得到分子基态构型的基础上,研究外电场对该分子电子结构特性的影响规律。采用TD-B3LYP方法系统分析了外电场对分子激发特性的影响规律。无外电场时,得到的分子电子结构参数与已有文献值完全吻合。各单元环中Si-O键键长增加或减少与施加电场的方向密切相关。激发特性方面,分子在240 nm附近出现的吸收峰与已有实验结果相吻合,而得到的强度更强的180 nm吸收峰是少有文献提及的。随外电场增强各激发态激发能减小,吸收谱线波长有一定红移。同时研究发现,特定的外电场会使一些禁戒的激发态变为可跃迁的激发态,意味着,可以利用特定的外电场调控来实现分子吸收某些特殊波长的谱线。