硅—MOS型三维磁场敏感器结构研究

来源 :传感技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dalianwaiguoyu

【摘要】

：

本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对Bz分量敏感的一维横向DMOS（LDMOS）与对Bx和By分量敏感的两维的纵向DMOS（VDMOS）开合集成在

【作者】

：

赖宗声刘亿

【机构】

：

华东师范大学电子科学系,华东师范大学电子科学系

【出处】

：

传感技术学报

【发表日期】

：

1991年3期

【关键词】

：

磁场敏感器结构三维 magnetic field sensor magnetotransistor double-diffused MOS device

【基金项目】

：

传感技术联合开放国家重点实验室1988年度资助项目

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本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对Bz分量敏感的一维横向DMOS（LDMOS）与对Bx和By分量敏感的两维的纵向DMOS（VDMOS）开合集成在一起。该磁场敏感器的最小空间分辨率为:10μm×16μm×32.5μm,相对灵敏度SRY优于6×10-2<

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