溴化银单晶半导体传感器的研制

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【摘要】

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<正> 我们研制的 AgBr 单晶溴离子敏感半导体传感器(简称 Br~--ISFET)它是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层 AgBr 单晶敏感层。这种传感器灵敏度高、稳定性好、使用寿命长,

【作者】

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黄强陈养民

【出处】

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化学传感器

【发表日期】

：

1992年2期

【关键词】

：

溴化银半导体传感器

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<正> 我们研制的 AgBr 单晶溴离子敏感半导体传感器(简称 Br~--ISFET)它是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层 AgBr 单晶敏感层。这种传感器灵敏度高、稳定性好、使用寿命长,且与一般溴离子选择电极比较,具有全固体化和易集成化等特点。特别是适应于生物、医学、航天、遥测和遥控等方面。该传感器经测试性能良好,其线性响应范围为:1.0×10°mol·L~(-1)～1.0×10~(-5)mol·L~(-1)NaBr,灵敏度为:56mV/PB

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