【摘 要】
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对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEA GaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了p型掺杂浓度为1.6×1017 cm-3发射层厚度150 nm的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原
【机 构】
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南京理工大学电子工程与光电技术学院
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对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEA GaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了p型掺杂浓度为1.6×1017 cm-3发射层厚度150 nm的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原子级清洁表面后,在超高真空系统中对GaN光电阴极进行了Cs/O激活,获得了NEA GaN光电阴极。利用实验室制备的多信息量测试系统对成功激活后的NEA GaN光电阴极进行了评估,结果显示：NEA GaN光电阴极的反射式量子效率达到了30%,透射式量子效率达到了12%。
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