【摘 要】
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在分子束外延设备中,利用直接沉积C原子的方法在覆盖有SiO2的Si衬底（SiO2/Si）上生长石墨烯,并通过Raman光谱和近边X射线吸收精细结构谱等实验技术对不同衬底温度（500℃,600℃,70
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室,
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在分子束外延设备中,利用直接沉积C原子的方法在覆盖有SiO2的Si衬底（SiO2/Si）上生长石墨烯,并通过Raman光谱和近边X射线吸收精细结构谱等实验技术对不同衬底温度（500℃,600℃,700℃,900℃,1100℃,1200℃）生长的薄膜进行结构表征.实验结果表明,在衬底温度较低时生长的薄膜是无定形碳,在衬底温度高于700℃时薄膜具有石墨烯的特征,而且石墨烯的结晶质量随着衬底温度的升高而改善,但过高的衬底温度会使石墨烯质量降低.衬底温度为1100℃时结晶质量最好.衬底温度较低时C原子活性较低,难以形成有序的C-sp2六方环.而衬底温度过高时（1200℃）,衬底表面部分SiO2分解,C原子与表面的Si原子或者O原子结合而阻止石墨烯的形成,并产生表面缺陷导致石墨烯结晶变差.
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