【摘 要】
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最近,从半导制造技术的发展到器件应用技术的提高,乃至美国新生产的半导体产品,均特以动态存贮器器件为代表例子进行了一些讨论。但本文所介绍的是夏普的LH21256器件,它是以
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最近,从半导制造技术的发展到器件应用技术的提高,乃至美国新生产的半导体产品,均特以动态存贮器器件为代表例子进行了一些讨论。但本文所介绍的是夏普的LH21256器件,它是以262,144字×1位构成的动态RAM,采用改进的N沟MOS工艺技术研制成的(请见照片1)。
Recently, from the development of semiconductor fabrication technology to the enhancement of device application technology, and even the newly-produced semiconductor products in the United States, some discussions have been made especially on the representative examples of dynamic memory devices. However, this article describes the Sharp’s LH21256 device, which is 262,144 words × 1 bit dynamic RAM, using improved N-channel MOS technology developed (see Photo 1).
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