论文部分内容阅读
研制了以硅为基底、金属铜（Cu）材料作为微电极的细胞电融合芯片。在500μm厚的硅基底上应用离子刻蚀技术，刻蚀出与所需得到的微电极相同形状的槽，然后高温下使硅片表层形成二氧化硅绝缘层，在刻蚀槽的底部形成种子层（Ta／Cu材料），通过电镀在槽中形成金属微电极，应用湿法刻蚀去除表层硅，得到纯金属微电极。铜金属微电极其导电率高，减小了电压衰减，使细胞电融合芯片中电场分布一致性好。该方法利用刻蚀的硅模具和电镀工艺解决了Lift-off制造的金属微电极较薄的难题，分别采用热氧化和等离子增强化学气相淀积（PECVD）