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介绍了一种新型压接式绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块的内部结构设计,分析其相对于传统IGBT模块的优势,并通过静态和动态测试分析了其电气性能特点,展示了其良好的特性以及广阔的应用范围。
新型压接式IGBT模块的结构设计与特性分析
【摘 要】
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介绍了一种新型压接式绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块的内部结构设计,分析其相对于传统IGBT模块的优势,并通过静态和动态测试分析了其
【机 构】
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株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心
【出 处】
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机车电传动
【发表日期】
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2013年01期
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