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对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究，采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准工艺，最终制作出的器件平均阈值电压为1．15V，单指管子电流增益为50，发射极面积4μm×14μm的单管在IB＝200μA和VCE＝2V偏压条件下截止频率达到了40GHz。设计并制作了直接反馈和CE－CC－CC两种单片集成跨阻放大器电路，测量得到的跨阻增益在3dB带宽频率时分别为50．6dBΩ和45．1dBΩ,3dB带宽分别为2．7GHz和2．5GHz，电