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采用密度泛函B3P86／6—311＋＋（d，p）方法研究了在不同外电场（-0．03～0．03a．U．）作用下SiS基态分子的几何结构、能级分布、能隙、红外光谱及势能曲线等的变化规律。结果表明：随外电场（Si→S方向）的增大，SiS分子键长逐渐增大，分子振动频率和红外光谱强度逐渐减小，总能量逐渐升高，当F=-0．01a．u．时，能量达到最大，随后继续增大电场强度系统总能量开始降低；EH和EL及能隙随电场的增加逐渐增大，当F=0．02a．u．时，EH和EL及能隙均达到最大值，随着电场的继续增大，能级EH和EL