【摘 要】
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在单晶Si衬底上用磁控溅射Fe膜并硫化的方法，制备了不同厚度的FeS2薄膜，测定了晶体结构及光学性能．结果表明，薄膜晶体学位向分布随薄膜厚度的增大可发生一定程度的变化．随着薄膜厚
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在单晶Si衬底上用磁控溅射Fe膜并硫化的方法，制备了不同厚度的FeS2薄膜，测定了晶体结构及光学性能．结果表明，薄膜晶体学位向分布随薄膜厚度的增大可发生一定程度的变化．随着薄膜厚度增加到330nm，晶粒尺寸增加而晶格常数减小；但当薄膜厚度大于330nm时，晶粒尺寸下降而晶格常数增大．光吸收系数以及禁带宽度均随薄膜厚度的增加而下降．相变应力、比表面积及晶体缺陷随薄膜厚度的变化是引起薄膜晶体生长行为及光吸收性能变化的主要原因．
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