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研究了Al,B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响.室温电阻率测定表明,加入Al,B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率,随着Al,B和Zr加入量的增加,试样的室温电阻率下降.讨论了Al,B和Zr在碳化硅中的存在形式,并分析了试样的导电机理.
电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究
【摘 要】
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研究了Al,B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响.室温电阻率测定表明,加入Al,B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率,随着Al,B和Zr加入量的增加,试样的
【机 构】
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西安科技大学
【出 处】
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西安科技大学学报
【发表日期】
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2005年2期
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