Effect of Ion Dose on Growth of Relaxed SiGe Layer on Ion Implantation Si Substrate

来源 :中国稀土学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luo665

【摘要】

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Thin strain-relaxed Si0.8Ge0.2 films (57.6 nm) on the 30 keV Ar+ ion implantation Si substrates for different dose (1 × 1014, 5 × 1014, 3 × 1015

【作者】

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Chen Changchun Liu Zhihong Hua

【机构】

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InstituteofMicroelectronics

【出处】

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中国稀土学报：英文版

【发表日期】

：

2004年z2期

【关键词】

：

STRAIN RELAXATION UHVCVD ION IMPLANTATION SIGE

【基金项目】

：

Project supported by National High Technology and Research Development Program (863 Program) (2002AA3Z1230)

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Thin strain-relaxed Si0.8Ge0.2 films (57.6 nm) on the 30 keV Ar+ ion implantation Si substrates for different dose (1 × 1014, 5 × 1014, 3 × 1015 cm-2) were grown by ultra high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system.Rutherford back

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