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在热循环疲劳加载条件下，使用C－SAM高频超声显微镜测得了B型和D型两种倒扣芯片连接在焊点有无断裂时芯片／底充胶界面的分层和扩展，得到分层裂缝扩展速率。同时在有限元模拟中使用断裂力学方法计算得到不同情况下的裂缝顶端附近的能量释放率。最后由实验裂缝扩展速率和有限元模拟给出的能量释放率得到可作为倒扣芯片连接可靠性设计依据的Paris半经验方程。