4H-SiC混合PN/Schottky二极管的研制

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ode
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
报道了4H-SiC混合PN/Schottky二极管的设计、制备和特性.该器件用镍作为肖特基接触金属,使用了结终端扩展(JTE)技术.在肖特基接触下的n型漂移区采用多能量注入的方法形成P区而组成面对面的PN结,这些PN结将肖特基接触屏蔽在高场之外,离子注入的退化是在1500℃下进行了30min.器件可耐压600V,在600V时的最小反向漏电流为1×10-3A/cm2.1000μm的大器件在正向电压为3V时电流密度为200A/cm2,而300μm的小尺寸器件在正向电压为3.5V电流密度可达1000A/cm2.
其他文献
使用高阻Si材料,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器——PIN二极管.采取HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小PIN二极管的暗电流(反向电流),这对于提高器件性能起到
时间分辨反射的MonteCarlo法计算的数据作为模拟实验数据,运用R.K.Wang提出的两点测量法,在不同的边界条件下,对半无限生物组织的吸收系数进行模拟测量。结果表明选择外延边界条件
研究了单模压缩真空场与耦合双原子Raman相互作用过程中光场的非经典性质,运用数值方法讨论了系统耦合常数和初始状态对光场量子特性的影响。
设计了一种处理具有像散的克尔透镜锁模腔的精确理论计算方法,并用该方法对三元腔固体自锁模激光器的像散、稳定性、光束参数、自聚焦效应和克尔自聚焦强度与腔参数的关系进行
通过调制半导体激光外腔压电陶瓷的电压实现低频波长调制,并慢扫描激光器的波长,测量了CS原子D2线[6S1/2(F=4)→6P3/2]的吸收光谱,利用锁相放大器处理了二次、四次、六次谐波信
本文采用挂滴装置和高速摄影系统研究了HAN基液体发射药LP1846单滴在富含水蒸汽高温环境中着火、燃烧的特性.给出了液滴从受热到燃尽全过程的时间序列照片,定量测试液滴着火
考虑到铁磁层中的自旋极化效应与粗糙界面散射效应 ,利用散射理论 ,讨论铁磁 超导隧道结中的散粒噪声 .计算表明 :磁交换作用可以抑制隧道结系统的平均电流与散粒噪声功率 ,
通过构造两个向量马氏过程重新探讨了GI/M/1排队,某些新结果如忙期和闲期的联合分布被得到了.这一方法容易推广到服务时间为无限位相型分布的GI/SPH/1排队.
CPL热控系统由于其独特的运行优势,在航天热控系统及微电子冷却装置等应用中越来越受到人们的重视.多孔芯冷凝器的提出很好地解决了压力波动和启动困难问题,目前关于这方面的研究尚
Copper oxides were prepared by direct heating and decomposing copper(Ⅱ) salts, such as Cu 2(OH) 2CO 3, Cu(NO 3) 2·3H 2O, Cu 2C 6H 4O 7·2 5H