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报道了4H-SiC混合PN/Schottky二极管的设计、制备和特性.该器件用镍作为肖特基接触金属,使用了结终端扩展(JTE)技术.在肖特基接触下的n型漂移区采用多能量注入的方法形成P区而组成面对面的PN结,这些PN结将肖特基接触屏蔽在高场之外,离子注入的退化是在1500℃下进行了30min.器件可耐压600V,在600V时的最小反向漏电流为1×10-3A/cm2.1000μm的大器件在正向电压为3V时电流密度为200A/cm2,而300μm的小尺寸器件在正向电压为3.5V电流密度可达1000A/cm2.