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鉴于半导体放电管工作时的最高温升决定其浪涌能力 ,通过对器件进行温度场模拟 ,可以明显地看出基片厚度、载流子浓度以及元胞数对器件温升的影响 .因此对不同厚度、杂质浓度的 16元胞放电管进行了浪涌实验 .模拟和实验结果均表明 ,增加元胞数、选择均匀性好和较薄的衬底材料以及采用低扩散浓度方法可以减少放电管工作时的温升 ,改善放电管浪涌能力