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在有效质量近似理论下,利用变分法研究了外电场下圆柱形GaAs/Al_xGa_（1-x）As量子环中类氢施主杂质束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸（径向厚度、高度）、杂质位置以及外电场间的变化规律。结果表明：随着量子环径向厚度（高度）的增大,中心施主杂质束缚能先增大后减小,显示有一极大值;施加的电场明显地改变了量子环中电子波函数的分布,导致施主杂质束缚能相应的改变;施主杂质束缚能随杂质位置的变化呈现出规律性。