宽带低相噪CMOS LC VCO的设计

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zuobinning
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设计了一款宽带CMOSLCVCO,在分析VCO相位噪声来源的基础上,对VCO进行了结构优化和噪声滤除,并采用了开关电容阵列以增加带宽。电路采用0.18μmCMOS射频工艺进行流片验证,芯片面积为0.4mm×1mm。测试结果显示:芯片的工作频率为3.34~4.17GHz,中心频率为4.02GHz时输出功率是-9.11dBm,相位噪声为一120dBc/Hz@1MHz,在1.8V工作电压下的功耗为10mW。
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