论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射方法在不同形貌的Mo电极上制备了（002）择优取向的AlN薄膜。采用XRD、FESEM表征了Mo电极及AlN薄膜的结构、表面形貌及择优取向。结果表明，Mo电极的形貌影响AlN薄膜的择优取向生长，在较高溅射气压下沉积的Mo电极晶粒细小、分布均匀，有助于AlN薄膜（002）择优取向生长。